等离子增强PECVD管式炉都可以通什么气体？

发布时间：2025-06-26 浏览次数：0

等离子增强化学气相沉积（PECVD）管式炉能够通入的气体种类多样，下面就来详细看一下吧！

比较常用的等离子增强化学气相沉积PECVD管式炉(点击图片查看产品详情)

反应性气体：
硅烷（SiH₄）：用于沉积硅基薄膜，如非晶硅、微晶硅、氮化硅（Si₃N₄）和氧化硅（SiO₂）等。
氨气（NH₃）：常与硅烷共同使用，用于沉积氮化硅薄膜，提供氮源。
氮气（N₂）：可作为载气或稀释气体，也可参与氮化硅等薄膜的沉积反应。
一氧化二氮（N₂O）或氧气（O₂）：用于沉积氧化硅薄膜，提供氧源。
甲烷（CH₄）或其他碳氢化合物：用于沉积碳基薄膜，如类金刚石碳（DLC）薄膜。

惰性气体（载气/稀释气体）：
氩气（Ar）：常用作载气或稀释气体，帮助稳定等离子体，调节反应气体的分压。
氦气（He）：也可作为载气，具有较高的热导率，有助于控制反应温度。

掺杂气体：
磷化氢（PH₃）：用于n型掺杂，制备n型半导体薄膜。
乙硼烷（B₂H₆）：用于p型掺杂，制备p型半导体薄膜。
三氟化硼（BF₃）：也可作为p型掺杂源。

其他特殊气体：
氢气（H₂）：常用于还原反应，或与硅烷共同使用，调节薄膜的沉积速率和性质。
六氟化硫（SF₆）：在某些特殊工艺中，用于刻蚀或表面处理。

气体选择的影响因素：
薄膜类型：根据所需沉积的薄膜材料（如SiO₂、Si₃N₄、DLC等），选择相应的反应性气体。
掺杂需求：如需制备p型或n型半导体薄膜，需通入相应的掺杂气体。
工艺条件：气体的流量、比例、压力等参数会影响薄膜的沉积速率、质量和性能。
安全性：某些气体（如硅烷、磷化氢）具有易燃、易爆或毒性，需严格遵守安全操作规程。

实际应用示例：
沉积氮化硅薄膜：通常通入硅烷（SiH₄）和氨气（NH₃），有时加入氮气（N₂）或氩气（Ar）作为载气。
沉积氧化硅薄膜：通常通入硅烷（SiH₄）和一氧化二氮（N₂O）或氧气（O₂）。
沉积DLC薄膜：通常通入甲烷（CH₄）和氢气（H₂），有时加入氩气（Ar）作为载气。

带旋转倾斜的PECVD管式炉(点击图片查看产品详情)