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三温区三通道混气CVD系统
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三温区三通道混气CVD系统

型号:KJ-T1200-S60K3-3Z
简要描述:    此款CVD系统由KJ-T1200管式炉+真空系统+供气系统组成 ,最高温度可以达到1200度,三温区控制,真空可以10Pa,供气系统是流量调节采用是质量流量计,混气路数3路相混合。……
详细介绍:
产品介绍:
    KJ-T1200-S60K3-3Z型CVD系统由KJ-T1200管式炉+真空系统+供气系统组成 ,最高温度可以达到1200度,三温区控制,极限真空可以达到10Pa,供气系统采用精准的数显三路质量流量计,混气路数3路相混合。
主要用途:该系统广泛用于各种反应温度在1100℃左右的CVD实验,也可用于:真空烧结、真空气氛保护烧结、纳米材料制备、电池材料制备等多研究领域。
 
技术参数:

高温炉壳体 采用双层壳体结构,并带有风冷系统,使得壳体表面温度小于55℃,内炉膛表面涂有1750℃进口氧化铝涂层材料提高反射率及炉膛洁净度 
功率 6 KW
电压 AC 208-240V 单相, 50/60 Hz 
加热元件 合金电阻丝
最高温度 1200℃
连续工作温度 1100℃
升温速率 最快20℃/min 建议10℃/min
炉管材质和尺寸 石英管: OD: 60mm x Length: 1000 mm 
加热区长度 三温区:220+220+220 mm
控温系统 PID30段程序化控温
控温精度 +/- 1 ℃
真空密封系统 两个不锈钢密封法兰(上面已安装真空计和截止阀)
真空系统 1.VRD-8旋片泵抽速2.2L/S
2.极限真空度:10Pa(包含KF25接口、高真空挡板阀和可移动箱体)
3.数显真空计,实时显示真空度,真空显示范围:1×105--1×10-1pa
混气系统 三路精密质量流量计:数字显示、气体流量自动控制。
MFC1 范围: 0~500 sccm(可选)
MFC2 范围: 0~500 sccm(可选)
MFC3 范围: 0~500 sccm(可选)
气路:3路
流量精度: 0.2%
进气和出气接口: 1/4" 卡套
每路气路都有一个独立的不锈钢针阀控制。
通过控制面板上的旋钮来调节气体流量。
售后服务 质保一年,终身保修(易损件除外)
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